穩懋半導體股份有限公司
核准設立
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| 標案名稱 | 機關名稱 | 決標日期 | 決標金額 | 是否得標 |
|---|---|---|---|---|
| 砷化鎵磊晶片 | 國立臺灣大學 | 113/12/18 | 1339380.0 | 是 |
| 增強耐濕型三五族化合物半導體積體電路製作一套 | 國立中央大學 | 109/04/08 | 600000.0 | 是 |
| 三五族化合物半導體積體電路製作1套 | 國立中央大學 | 106/09/22 | 1260000.0 | 是 |
| 砷化鎵微波積體電路組晶圓代工製造一式 | 國立交通大學 | 105/08/02 | 1260000.0 | 是 |
| 砷化鎵晶圓一式 | 中央研究院 | 105/01/26 | 2205000.0 | 是 |
| 氮化鎵微波積體元件組等1項 | 國防部軍備局中山科學研究院 | 102/08/01 | 4140360.0 | 是 |
| 0.1um GaAs pHEMT MMIC晶圓一式 | 中央研究院 | 101/10/09 | 1700000.0 | 是 |
| PHEMT砷化鎵晶圓一式 | 中央研究院 | 100/08/09 | 1100000.0 | 是 |
| 低雜訊單晶微波積體電路組等2項 | 國防部軍備局中山科學研究院 | 100/05/26 | 9330000.0 | 是 |
| 低雜訊電晶體元件組等2項 | 國防部軍備局中山科學研究院 | 100/03/15 | 11720000.0 | 是 |
| 單晶微波系統晶片等1項 | 國防部軍備局中山科學研究院 | 100/03/01 | 6700000.0 | 是 |
| 穩懋低雜訊0.15um pHEMT製程 | 國立臺灣大學 | 099/10/20 | 400000.0 | 是 |
| 0.15um高頻低雜訊高電子遷移率電晶體代工6吋晶片 | 國立交通大學 | 099/04/30 | 840000.0 | 是 |
| 穩懋低雜訊0.15um pHEMT製程 | 國立臺灣大學 | 099/04/16 | 600000.0 | 是 |
| 單晶微波積體元件組等2項 | 國防部軍備局中山科學研究院 | 099/04/16 | 8910000.0 | 是 |
| 0.15um 砷化鎵基改性高電子遷移率電晶體代工*6吋晶片*1片 | 交通大學機械系 | 099/01/08 | 336000.0 | 是 |
| 日期 | 違反法規法條 | 罰鍰金額 |
|---|---|---|
| 2024/03/08 | 職業安全衛生設施規則第177條第1項第1款暨職業安全衛生法第6條第1項;職業安全衛生設施規則第188條第1項暨職業安全衛生法第6條第1項 | |
| 2023/03/03 | 勞基法第24條第1項 | 50,000 |
| 2019/09/10 | 職業安全衛生設施規則第175條、第177條第1項、第191條;特定化學物質危害預防標準第36條暨職業安全衛生法第6條第1項 | |
| 2019/08/12 | 職業安全衛生設施規則第175條、第177條第1項、第184條暨職業安全衛生法第6條第1項 | |
| 2018/01/26 | 職業安全衛生設施規則第155條暨職業安全衛生法第6條第1項 | |
| 2016/06/10 | 勞基法第22條第2項 |
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